當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，從而在半導體的兩端產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)。

而霍爾效應(yīng)已廣泛應(yīng)用到我們的生活中，比如已在汽車上廣泛應(yīng)用的霍爾器件（汽車點火系統(tǒng)中的應(yīng)用、用作汽車開關(guān)電路上的功率霍爾電路、ABS系統(tǒng)中的速度傳感器等等）。

在霍爾效應(yīng)發(fā)現(xiàn)百年后，物理學家發(fā)現(xiàn)了量子霍爾效應(yīng)。量子霍爾效應(yīng)在凝體物理研究里占據(jù)著極其重要的地位。整數(shù)量子霍爾效應(yīng)、分數(shù)量子霍爾效應(yīng)、半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)相繼獲得諾貝爾獎，一代一代的科學家為之著迷與獻身。

量子霍爾效應(yīng)家族中神秘的成員，量子反?；魻栃?yīng)的發(fā)現(xiàn)（不需要外加磁場的量子霍爾效應(yīng)）將帶來世界芯片技術(shù)的革命。

2009年中國華人物理學家張首晟教授在內(nèi)的科學家，在理論上預(yù)言了一種叫做拓撲絕緣體的新的材料，這是材料物理領(lǐng)域的一個重大進展。自此中國科學院院士薛其坤帶領(lǐng)由中科院物理研究所和清華大學物理系組成的實驗團隊向量子反?；魻栃?yīng)的實驗實現(xiàn)發(fā)起沖擊。2013年，薛其坤、清華大學物理系和中科院物理所聯(lián)合組成的實驗團隊，*在實驗上發(fā)現(xiàn)量子反?；魻栃?yīng)。

量子反?；魻栃?yīng)的發(fā)現(xiàn)，有可能利用其無耗散的邊緣態(tài)發(fā)展新一代的低能耗晶體管和電子學器件，有望解決計算機發(fā)熱問題和摩爾定律的瓶頸問題，為半導體工業(yè)帶來又一次的革命。這些效應(yīng)可能在未來電子器件中發(fā)揮特殊作用，無需高強磁場，就可以制備低能耗的高速電子器件，例如極低能耗的芯片，個人電腦可能在未來進行脫胎換骨。 

LINSEIS HCS測量系統(tǒng)可以測半導體器件的電輸運性能:霍爾遷移率、載流子濃度電阻率。高度集成的桌面型產(chǎn)品設(shè)計，包括基本型手動操作的霍爾效應(yīng)測量，自動的高溫段霍爾效應(yīng)測量，以及創(chuàng)新的磁體配置，可以測量具挑戰(zhàn)性的樣品。系統(tǒng)可以配備不同的樣品支架，以滿足不同的幾何形狀和溫度要求。提供可選的低溫配件（LN2）以及高溫度可達800℃的高溫版本，以確保覆蓋各類應(yīng)用領(lǐng)域。根據(jù)系統(tǒng)配置的不同，永磁體、水冷電磁鐵或霍爾巴赫磁體均可提供高達1T的磁場強度。